SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結構單元為 Si-C 四面體。SiC 是一種二元化合物，其中 Si-Si 鍵原子間距為3.89 ?，這個間距如何理解呢？...
當前，金剛石的市場應用大致可分成三個方向，一是可以用作裝飾鉆石，相關用途人們較為熟悉；二是可以做成金剛石膜，這是一種優質的散熱材料；三是經摻雜以后形成半導體材料。這一應用領域尚處于實驗階段，但其發...
碳化硅介紹碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。相比傳統的硅材料（Si），碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓...
碳化硅功率半導體生產流程主要包括前道的晶圓加工，包括長晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工，這部分跟硅基IGBT類似。第一部分，晶圓加工首先，以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC，通過物理氣相傳...
以碳化硅為代表的第三代半導體材料發展在新能源汽車等領域風頭正勁之時，一種更耐高溫耐高壓、支持更大功率、能耗更低的新一代化合物半導體材料——氧化鎵走進業界視線。短短4-5年時間，氧化鎵已經出現了高質量的襯...
一、什么是碳化硅（SiC）？碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現，因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材...
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