以碳化硅為代表的第三代半導體材料發展在新能源汽車等領域風頭正勁之時,一種更耐高溫耐高壓、支持更大功率、能耗更低的新一代化合物半導體材料——氧化鎵走進業界視線。短短4-5年時間,氧化鎵已經出現了高質量的襯...
一、什么是碳化硅(SiC)?碳化硅屬于第三代半導體材料,與普通的硅材料相比,碳化硅的優勢非常突出,它不僅克服了普通硅材料的某些缺點,在功耗上也有非常好的表現,因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材...
隨著數字化、智能化的時代到來,半導體行業的熱度不斷高漲。尤其是量子信息和人工智能等高科技領域的快速發展,推動了半導體以及多功能器件技術的快速更新和迭代。為適應高性能、低成本的要求,業界將目光投向了...
一、氮化嫁(GaN)定義氮化鎵材料定義:氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料,禁帶寬度大于2.3eV,也稱為寬禁帶半導體材料。氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表,是研制微電子器件、光電子器件的新...
對比兩種集成電路制造濕法工藝設備的優缺點及未來發展趨勢,對影響單片濕法清洗工藝中蝕刻率因素進行分析總結,介紹化學藥液混合和制程噴吐中流量控制技術的發展,設計實驗將兩種化學藥液流量控制閥件的蝕刻清洗...
一、引言上世紀50年代以后,隨著離子注入、擴散、外延生長和光刻四種基本工藝的發明,半導體工藝逐漸發展起來。芯片被顆粒和金屬污染,容易導致短路或開路等失效,因此除了在整個生產過程中避免外部污染外,在制...
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